晶圓需要平坦化主要出于以下考慮：

首先，晶圓在制造過程中涉及多道工藝步驟，如光刻、腐蝕、沉積等。如果晶圓表面不平坦，這些工藝步驟可能無法準確進行，導致制造質量下降。平坦化可以確保各道工藝步驟的準確性和一致性。

其次，晶圓表面的平坦度對器件性能有直接影響。在微電子器件中，平坦的晶圓表面可以提供更好的電子遷移性能和更低的電阻，減少電子器件中的損耗和噪聲。

為了滿足生產中的平坦化需求，尤其是光刻過程中晶圓表面極致的平坦要求，晶圓制造過程中采用了多種工藝方法。具體涵蓋以下幾種：

機械研磨和拋光：通過機械力和磨料將晶圓表面的高點磨平，使其變得平整。晶圓會與研磨盤接觸并進行旋轉、摩擦，以去除表面凸起的不平坦性。

化學機械拋光（CMP）：一種結合化學溶液和機械磨損的工藝。CMP過程中，晶圓被放置在旋轉的研磨盤上，上面涂有一層特殊的拋光液。拋光液中含有化學物質和磨料顆粒，通過機械磨損和化學反應，可以同時去除晶圓表面的不平坦性。CMP工藝結合了機械拋光和化學拋光的優點，既可獲得較為完美的表面，又可得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個數量級。

綜上所述，晶圓平坦化是半導體制造過程中至關重要的環節，通過上述工藝方法的應用，可以確保晶圓表面的平坦度，提高制造質量和器件性能。